主要开展第三代半导体(GaN、AlN)单晶的生长、加工及缺陷研究,生长出高质量晶体,为我国高性能半导体器件的自主研发提供强力支撑,有助于突破国外封锁,解决我国半导体的“缺料、缺芯”问题。
发布时间:2023-12-25浏览次数:3
主要开展第三代半导体(GaN、AlN)单晶的生长、加工及缺陷研究,生长出高质量晶体,为我国高性能半导体器件的自主研发提供强力支撑,有助于突破国外封锁,解决我国半导体的“缺料、缺芯”问题。